Источник ионов 40E1
Описание
Источник ионов 40E1 является сфокусированной, экстракционной ионной пушкой с дифференциальной откачкой. Источник способен просканировать область поверхности 10x10 мм на рекомендуемом рабочем расстоянии. Источник предназначен для работ в XPS, ISS и SIMS. Также, источник возможно использовать для чистки поверхности.
Особенности
- Специальная конструкция носового конуса
- Работа с инертными (Ar) и реактивными газами (O2, H2)
- Изменяемый размер пятна
- Однородность луча
- UHV ввод газа
- Поддержания UHV условий в камере
- Встроенное устройство сканирования и вывода
- Управляется с помощью ПО
Опции
- Система дозирования газа
- Расширение ПО – возможно интеграция с RAPID SE
- Линейное смещение
- Дифференциальная откачка (2 этапа)
- Масс-фильтр Вин
Технические характеристики
| Mounting flange: | Rotatable, DN 40CF |
| Bakeout temperature: | 250°C |
| Water cooling: | Not required |
| current density | Up to 4 mA / cm2 (for distance 23 mm) |
| Insertion length: | 163 mm (standard) |
| Energy range: | 0.15 keV - 5 keV |
| cone angle: | Small, 50° |
| Spot size: | < 150 μm for distance 23 mm |
| Scan area: | 10 mm x 10 mm (for working distance of 23 mm) |
| Cathode type: | Yttrium oxide coated Iridium filament |